是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, |
针数: | 16 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.83 | 高边驱动器: | YES |
接口集成电路类型: | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER | JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 10.3 mm |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
标称输出峰值电流: | 2 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.65 mm |
最大供电电压: | 16.5 V | 最小供电电压: | 10 V |
标称供电电压: | 15 V | 电源电压1-最大: | 20 V |
电源电压1-分钟: | 10 V | 表面贴装: | YES |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 35 |
断开时间: | 0.15 µs | 接通时间: | 0.15 µs |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXBD4410SI | IXYS |
类似代替 |
ISOSMART Half Bridge Driver Chipset | |
IR2110STRPBF | INFINEON |
功能相似 |
HIGH AND LOW SIDE DRIVER | |
IR2110SPBF | INFINEON |
功能相似 |
HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXBD4412PC | ETC |
获取价格 |
Interface IC | |
IXBD4412PI | ETC |
获取价格 |
Interface IC | |
IXBD4413PC | ETC |
获取价格 |
Interface IC | |
IXBD4413PI | ETC |
获取价格 |
Interface IC | |
IXBF12N300 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, I4PAK-3 | |
IXBF14N300 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXBF14N300 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXBF16N360 | LITTELFUSE |
获取价格 |
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBF20N300 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS, | |
IXBF20N300 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS, |