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IRHNA67164

更新时间： 2024-09-15 04:03:11
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 139K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2)

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IRHNA67164 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
雪崩能效等级（Eas）：283 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：56 A最大漏极电流 (ID)：56 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：224 A认证状态：Not Qualified
参考标准：RH - 100K Rad(Si)子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHNA67164 数据手册

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PD-96959A  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE-MOUNT (SMD-2)  
IRHNA67164  
150V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHNA67164 100K Rads (Si) 0.018Ω 56A*  
IRHNA63164 300K Rads (Si) 0.018Ω 56A*  
SMD-2  
International Rectifier’s R6TM technology provides  
superior power MOSFETs for space applications.  
These devices have improved immunity to Single  
Event Effect (SEE) and have been characterized for  
useful performance with Linear Energy Transfer  
(LET) up to 90MeV/(mg/cm2). Their combination of  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
very low R  
and faster switching times reduces  
DS(on)  
power loss and increases power density in today’s  
high speed switching applications such as DC-DC  
converters and motor controllers. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, ease of paralleling  
and temperature stability of electrical parameters.  
Ceramic Package  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
56*  
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
49  
224  
D
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
250  
W
W/°C  
V
D
C
2.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
283  
mJ  
A
AS  
I
56  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
7.5  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
02/16/06  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHNA67164SCS INFINEON

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