5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHNA67260
IRHNA67260 PDF预览

IRHNA67260

更新时间： 2024-01-04 15:57:16
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 141K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2)

阅读下载

获取价格

IRHNA67260 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMD-2, 3 PIN
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.82
雪崩能效等级（Eas）：268 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：56 A最大漏极电流 (ID)：56 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：224 A
参考标准：RH - 100K Rad(Si)表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：150 ns最大开启时间（吨）：200 ns

IRHNA67260 数据手册

 浏览型号IRHNA67260的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHNA67260的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHNA67260的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHNA67260的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHNA67260的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHNA67260的Datasheet PDF文件第7页 
PD-94342D  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE-MOUNT (SMD-2)  
IRHNA67260  
200V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHNA67260 100K Rads (Si) 0.028Ω 56A∗  
IRHNA63260 300K Rads (Si) 0.028Ω 56A∗  
SMD-2  
International Rectifier’s R6TM technology provides  
superior power MOSFETs for space applications.  
These devices have improved immunity to Single  
Event Effect (SEE) and have been characterized for  
useful performance with Linear Energy Transfer  
(LET) up to 90MeV/(mg/cm2).  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Their combination of very low R  
and faster  
DS(on)  
switching times reduces power loss and increases  
power density in today’s high speed switching  
applications such as DC-DC converters and motor  
controllers. These devices retain all of the well  
established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, ease of paralleling and temperature stability  
of electrical parameters.  
Ceramic Package  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
Units  
I
D
@ V  
56∗  
GS  
C
A
I
@ V  
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
40  
224  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
250  
W
W/°C  
V
D
C
2.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
268  
56∗  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.0  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
∗ Current is limited by Package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
02/16/06  
12345678

下载PDF

与IRHNA67260相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IRHNA67260PBF INFINEON 暂无描述

获取价格
IRHNA67260SCS INFINEON Rad hard, 200V, 40A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si)

获取价格
IRHNA67264 INFINEON RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2)

获取价格
IRHNA67264A INFINEON Power Field-Effect Transistor,

获取价格
IRHNA67264SCS INFINEON Rad hard, 250V, 31.5A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(S

获取价格
IRHNA67264SCSA INFINEON Power Field-Effect Transistor,

获取价格

与IRHNA67260相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证