IRHNA67260

更新时间： 2024-01-04 13:44:32

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	141K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2)

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRHNA67260 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMD-2, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
雪崩能效等级（Eas）：	268 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	56 A	最大漏极电流 (ID)：	56 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	224 A
参考标准：	RH - 100K Rad(Si)	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	150 ns	最大开启时间（吨）：	200 ns

IRHNA67260

Footnotes:

Pre-Irradiation

Ã Pulse width ≤ 300 µs; Duty Cycle ≤ 2%

Ä Total Dose Irradiation with V Bias.

Repetitive Rating; Pulse width limited by

maximum junction temperature.

= 0 during

12 volt V

applied and V

= 25V, starting T = 25°C, L= 0.17mH

irradiation per MIL-STD-750, method 1019, condition A.

Peak I = 56A, V

= 12V

Å Total Dose Irradiation with V Bias.

Â I

≤ 56A, di/dt ≤ 875A/µs,

applied and V = 0 during

160 volt V

≤ 200V, T ≤ 150°C

irradiation per MlL-STD-750, method 1019, condition A.

Case Outline and Dimensions — SMD-2

IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105

IR LEOMINSTER : 205 Crawford St., Leominster, Massachusetts 01453, USA Tel: (978) 534-5776

TAC Fax: (310) 252-7903

Visit us at www.irf.com for sales contact information.

Data and specifications subject to change without notice. 02/2006

www.irf.com

1...5 6 78

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRHNA67260PBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRHNA67260SCS	INFINEON	获取价格	Rad hard, 200V, 40A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si)
IRHNA67264	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2)
IRHNA67264A	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRHNA67264SCS	INFINEON	获取价格	Rad hard, 250V, 31.5A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(S
IRHNA67264SCSA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRHNA6S3160	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRHNA6S7160	INFINEON	获取价格	Rad hard, 100V, 56A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si)
IRHNA6S7160SCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRHNA6S7160SCSD	INFINEON	获取价格	Rad hard, 100V, 56A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si)