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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMD-2, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.82 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 268 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 56 A | 最大漏极电流 (ID)： | 56 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 224 A |
| 参考标准： | RH - 100K Rad(Si) | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 150 ns | 最大开启时间（吨）： | 200 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHNA67260PBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRHNA67260SCS | INFINEON |
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Rad hard, 200V, 40A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si) |
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| IRHNA67264 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2) |
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| IRHNA67264A | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IRHNA67264SCS | INFINEON |
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Rad hard, 250V, 31.5A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(S |
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| IRHNA67264SCSA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IRHNA6S3160 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IRHNA6S7160 | INFINEON |
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Rad hard, 100V, 56A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si) |
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| IRHNA6S7160SCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IRHNA6S7160SCSD | INFINEON |
获取价格 |
Rad hard, 100V, 56A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si) |
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