IRHNA67260

更新时间： 2024-02-08 23:28:07

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页	141K
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2)

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IRHNA67260 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMD-2, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
雪崩能效等级（Eas）：	268 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	56 A	最大漏极电流 (ID)：	56 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	224 A
参考标准：	RH - 100K Rad(Si)	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	150 ns	最大开启时间（吨）：	200 ns

IRHNA67260 数据手册

Pre-Irradiation

IRHNA67260

14000

56A

= 63A

100KHz

= 0V,

f = 1MHz

= 160V

= 100V

= 40V

= C + C

SHORTED

iss

gd , ds

= C

12000

10000

8000

6000

4000

2000

rss

= C + C

oss

iss

oss

rss

FOR TEST CIRCUIT

SEE FIGURE 13

100

150

200

250

, Drain-to-Source Voltage (V)

Q , Total Gate Charge (nC)

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Fig 5. Typical Capacitance Vs.

Gate-to-SourceVoltage

Drain-to-SourceVoltage

1000

100

1000

OPERATION IN THIS AREA

LIMITED BY R

(on)

= 150°C

100

100µs

1ms

= 25°C

10ms

Tc = 25°C

Tj = 150°C

Single Pulse

= 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.0

100

1000

, Source-to-Drain Voltage (V)

, Drain-toSource Voltage (V)

Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

ForwardVoltage

www.irf.com

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