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IRHNA6S7160

更新时间： 2024-11-06 11:01:15

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	616K
描述
Rad hard, 100V, 56A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si) TID, COTS

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IRHNA6S7160 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	462 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	56 A
最大漏极电流 (ID)：	56 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	224 A	参考标准：	RH - 100K Rad(Si)
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	150 ns
最大开启时间（吨）：	200 ns	Base Number Matches：	1

IRHNA6S7160 数据手册

PD-97868A

IRHNA6S7160

100V, N-CHANNEL

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-2)

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number

IRHNA6S7160

IRHNA6S3160

Radiation Level RDS(on)

I_D

100 kRads(Si)

300 kRads(Si)

56A*

0.010

SMD-2

Features

Description

 Single Event Effect (SEE) Hardened

 Low RDS(on)

 Low Total Gate Charge

 Simple Drive Requirements

 Hermetically Sealed

 Ceramic Package

 Light Weight

 Surface Mount

 ESD Rating: Class 3A per MIL-STD-750, Method 1020

IRHNA6S7160 is a part of the International Rectifier HiRel

family of products. IR HiRel R6 S-line technology provides

high performance power MOSFETs for space applications.

These devices have been characterized for both Total

Dose and Single Event Effect (SEE) with useful

performance up to LET of 60 (MeV/(mg/cm²). The

combination of low RDS(on) and low gate charge reduces

the power losses in switching applications such as DC-DC

converters and motor controllers. These devices retain all

of the well established advantages of MOSFETs such as

voltage control, fast switching, ease of paralleling and

temperature stability of electrical parameters.

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Symbol

Parameter

Value

Units

56*

I_D@ V_GS= 12V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D@ V_GS= 12V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

56*

224

250

2.0

I_DM@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 25°C

Pulsed Drain Current 

W/°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

±20

462

V_GS

E_AS

I_AR

V/ns

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

5.0

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (for 5s)

3.3 (Typical)

Weight

* Current is limited by package

For Footnotes, refer to the page 2.

2018-07-05

International Rectifier HiRel Products, Inc.

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRHNA6S7160SCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRHNA6S7160SCSD	INFINEON	获取价格	Rad hard, 100V, 56A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si)
IRHNA6S7260	INFINEON	获取价格	Rad hard, 200V, 40A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si)
IRHNA6S7260SCS	INFINEON	获取价格	Rad hard, 200V, 40A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si)
IRHNA6S7264	INFINEON	获取价格	Rad hard, 250V, 31.5A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(S
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