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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 23 A | 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHN7450 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTOR |
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| IRHN7450PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRHN7450SE | INFINEON |
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TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=12A) |
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| IRHN7450SESCS | INFINEON |
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Rad hard, 500V, 12A, single, N-channel MOSFET, R4 in a SMD-1 package - SMD-1, 100 krad(Si) |
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| IRHN7C50SE | INFINEON |
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TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=10.4A) |
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| IRHN7C50SEPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHN8054 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
|
| IRHN8130 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) |
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| IRHN8130PBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRHN8150 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR N-CHANNEL |
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