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IRHN9150PBF

更新时间： 2024-09-16 08:09:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 370K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN

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IRHN9150PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68其他特性：RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A参考标准：RH - 100K Rad(Si)
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：380 ns最大开启时间（吨）：210 ns
Base Number Matches：1

IRHN9150PBF 数据手册

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PD-90885H  
IRHN9150  
JANSR2N7422U  
100V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/662  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-1)  
RAD Hard™HEXFET ® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHN9150  
100 kRads(Si)  
300 kRads(Si)  
-22A  
-22A  
JANSR2N7422U  
JANSF2N7422U  
0.080  
0.080  
IRHN93150  
Description  
Features  
IR HiRel RADHard™ HEXFET® MOSFET technology provides  
high performance power MOSFETs for space applications.  
This technology has long history of proven performance and  
reliability in satellite applications. These devices have been  
characterized for both Total Dose and Single Event Effects  
(SEE). The combination of low RDS(on) and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices retain all of  
the well established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, fast switching and temperature stability of electrical  
parameters.  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
Light Weight  
ESD Rating: Class 2 per MIL-STD-750,  
Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Symbol  
Value  
Parameter  
Units  
ID1 @ VGS = -12V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID2 @ VGS = -12V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
-22  
A
-14  
-88  
IDM @ TC = 25°C  
PD @ TC = 25°C  
Pulsed Drain Current  
W
W/°C  
V
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
150  
1.2  
VGS  
EAS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
500  
Single Pulse Avalanche Energy   
mJ  
A
IAR  
EAR  
Avalanche Current   
-22  
15  
mJ  
V/ns  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
dv/dt  
-23  
TJ  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Package Mounting Surface Temp.  
Weight  
-55 to + 150  
TSTG  
°C  
g
300 ( for 5s)  
2.6 (Typical)  
For Footnotes, refer to the page 2.  
1
2018-12-11  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHN9150SCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRHN9150SCSPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
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 		TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.8ohm, Id=-6.5A)
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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
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