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IRHN8054

更新时间： 2024-11-18 04:23:11
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 126K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)

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IRHN8054 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
其他特性：RADIATION HARDENED雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：283 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRHN8054 数据手册

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PD-90884D  
IRHN7054  
JANSR2N7394U  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-1)  
60V, N-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/603  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level  
RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHN7054  
IRHN3054  
100K Rads (Si) 0.027Ω 35A JANSR2N7394U  
300K Rads (Si) 0.027Ω 35A JANSF2N7394U  
IRHN4054  
IRHN8054  
500K Rads (Si) 0.027Ω 35A JANSG2N7394U  
1000K Rads (Si) 0.040Ω 35A JANSH2N7394U  
SMD-1  
International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET®  
technology provides high performance power  
MOSFETs for space applications. This technology  
has over a decade of proven performance and  
reliability in satellite applications. These devices have  
been characterized for both Total Dose and Single  
Event Effects (SEE). The combination of low Rdson  
and low gate charge reduces the power losses in  
switching applications such as DC to DC converters  
and motor control. These devices retain all of the well  
established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Surface Mount  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
35  
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
30  
283  
D
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/°C  
V
D
C
1.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
500  
mJ  
A
AS  
I
35  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
15  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
3.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
300 (5sec)  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
2.6 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
05/15/06  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHN8130 INFINEON

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 		TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14)
IRHN8130PBF INFINEON

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 		暂无描述
IRHN8150 INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR N-CHANNEL
IRHN8230 INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
IRHN8250 INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.10ohm, Id=26A)
IRHN8250PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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