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IRHN9150SCS PDF预览

IRHN9150SCS

更新时间： 2024-11-18 20:01:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 128K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN

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IRHN9150SCS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMD-1, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
其他特性：RADIATION HARDENED雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：380 ns最大开启时间（吨）：210 ns

IRHN9150SCS 数据手册

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PD - 90885D  
IRHN9150  
JANSR2N7422U  
100V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/662  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-1)  
RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
JANSR2N7422U  
JANSF2N7422U  
IRHN9150  
100K Rads (Si)  
0.080Ω  
0.080Ω  
-22A  
-22A  
IRHN93150 300K Rads (Si)  
SMD-1  
International Rectifier’s RADHard HEXFETTM technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rdson and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
LowTotal Gate Charge  
ProtonTolerant  
SimpleDriveRequirements  
EaseofParalleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
LightWeight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
-22  
-14  
D
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
-88  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/°C  
V
D
C
1.2  
V
GS  
Gate-to-SourceVoltage  
±20  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
-22  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
15  
mJ  
AR  
dv/dt  
-23  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
STG  
StorageTemperature Range  
oC  
g
PCKG Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 ( for 5s)  
2.6 (typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/29/01  
12345678

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与IRHN9150SCS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHN9150SCSPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRHN9230 INFINEON

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 		TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.8ohm, Id=-6.5A)
IRHN9250 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
IRHN93130 ETC

获取价格

 		-100V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-1 package
IRHN93150 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT
IRHN93150PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRHN93230 ETC

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 		-200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-1 package
IRHN93250 INFINEON

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IRHN93250PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHNA3064 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3)

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