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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 51 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 204 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHNA4260 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 43A I(D) | SMT |
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| IRHNA4Z60 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-2) |
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| IRHNA53064 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
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| IRHNA53160 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
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| IRHNA53260 | INFINEON |
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200V, N-CHANNEL |
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| IRHNA53260PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 200V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHNA53Z60 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET |
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| IRHNA54064 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
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| IRHNA54160 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
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| IRHNA54260 | INFINEON |
获取价格 |
200V, N-CHANNEL |
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