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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFZ48ZSTRR
IRFZ48ZSTRR PDF预览

IRFZ48ZSTRR

更新时间： 2024-09-15 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 138K
描述
Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3

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IRFZ48ZSTRR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.03
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：73 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：61 A
最大漏源导通电阻：0.011 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFZ48ZSTRR 数据手册

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PD - 93958  
IRFZ48R  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 60V  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
RDS(on) = 0.018Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
l Drop in Replacement of the IRFZ48  
for Linear/Audio Applications  
ID = 50*A  
S
Description  
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International  
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET power MOSFETs are well  
known for, provides the designer with an extremely efficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevels  
to approximately 50 watts. The low thermal resistance and  
low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
50*  
50*  
290  
190  
1.3  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
100  
50  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
19  
mJ  
V/ns  
4.5  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.8  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
8/24/00  
12345678

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与IRFZ48ZSTRR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ48ZSTRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRG41BC20KD INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3
IRG41BC20KDPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 11.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, FULL PACK-3
IRG41BC30UD ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP
IRG4BAC50S ETC

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IRG4BAC50SPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-273AA, SUPER-220
IRG4BAC50U ETC

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IRG4BAC50W ETC

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IRG4BAC50WPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-273AA, SUPER-220
IRG4BC10K INFINEON

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 		Short Circuit Rated UltraFast IGBT

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