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IRG4BAC50WPBF PDF预览

IRG4BAC50WPBF

更新时间： 2024-09-15 14:42:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 电动机控制栅瞄准线晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 166K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-273AA, SUPER-220, 3 PIN

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IRG4BAC50WPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：55 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-273AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：272 ns标称接通时间 (ton)：74 ns
Base Number Matches：1

IRG4BAC50WPBF 数据手册

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PD -93769  
PROVISIONAL  
IRG4BAC50W  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
Features  
• Designed expressly for switch-mode power  
supply and PFC (power factor correction)  
applications  
VCES = 600V  
• Industry-benchmark switching losses improve  
efficiency of all power supply topologies  
• 50% reduction of Eoff parameter  
VCE(on) max. = 2.30V  
G
@VGE = 15V, IC = 27A  
E
• Low IGBT conduction losses  
• Latest generation IGBT design and construction offers  
tighter parameters distribution, exceptional reliability  
N-channel  
Benefits  
• Lower switching losses allow more cost-effective  
operation than power MOSFETs up to 150kHz  
("hard switched" mode)  
• Of particular benefit to single-ended converters and  
boost PFC topologies 150W and higher  
• Low conduction losses and minimal minority-carrier  
recombination make these an excellent option for  
resonant mode switching as well (up to >300kHz)  
Super-220™  
(TO-273AA)  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
IC @ TC = 25°C  
55  
IC @ TC = 100°C  
27  
A
ICM  
220  
ILM  
220  
VGE  
± 20  
170  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
200  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
78  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.64  
–––  
40  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.50  
–––  
°C/W  
TBD  
–––  
g (oz)  
1
www.irf.com  
1/19/2000  
12345678

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