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IRG4BC10SD-SPBF PDF预览

IRG4BC10SD-SPBF

更新时间： 2024-09-15 03:44:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
12页 313K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4BC10SD-SPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：8.32
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：14 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1780 ns
标称接通时间 (ton)：106 nsBase Number Matches：1

IRG4BC10SD-SPBF 数据手册

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PD - 95780  
IRG4BC10SD-SPbF  
IRG4BC10SD-LPbF  
Standard Speed  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
CoPack IGBT  
Features  
C
• Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A  
• S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3  
KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4  
KHz in brushless DC drives.  
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 1.10V  
• Very Tight Vce(on) distribution  
G
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use  
in bridge configurations  
@VGE = 15V, IC = 2.0A  
E
• Industry standard D2Pak & TO-262 packages  
n-channel  
• Lead-Free  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiencies  
available  
• IGBT's optimized for specific application conditions  
• HEXFRED diodes optimized for performance with  
IGBT's . Minimized recovery characteristics require  
less/no snubbing  
• Lower losses than MOSFET's conduction and  
Diode losses  
D2Pak  
IRG4BC10SD-S  
TO-262  
IRG4BC10SD-L  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
14  
IC @ TC = 100°C  
8.0  
ICM  
18  
A
ILM  
18  
IF @ TC = 100°C  
4.0  
IFM  
18  
± 20  
VGE  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
38  
W
°C  
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
15  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
3.3  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - Diode  
–––  
7.0  
°C/W  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
0.50  
–––  
80  
Junction-to-Ambient, typical socket mount ꢀ  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)† –––  
Weight –––  
–––  
40  
2.0(0.07)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
08/27/04  
1234567...12

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IRG4BC10SD-SPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4BC10SD-S INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4RC10SDTRPBF INFINEON

功能相似

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE

与IRG4BC10SD-SPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4BC10SD-STRL INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
IRG4BC10SD-STRLPBF INFINEON

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IRG4BC10SPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC10UD INFINEON

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