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IRG4BC20FPBF PDF预览

IRG4BC20FPBF

更新时间： 2024-11-07 01:10:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅开关功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 204K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4BC20FPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：7.37其他特性：FAST SWITCHING
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：16 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：640 ns
标称接通时间 (ton)：41 nsBase Number Matches：1

IRG4BC20FPBF 数据手册

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PD - 95742  
IRG4BC20FPbF  
FastSpeedIGBT  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR  
Features  
C
• Fast: Optimized for medium operating  
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20  
kHz in resonant mode).  
VCES = 600V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
• Industry standard TO-220AB package  
• Lead-Free  
VCE(on) typ. = 1.66V  
G
@VGE = 15V, IC = 9.0A  
E
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available  
• IGBTs optimized for specified application conditions  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBTs  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
600  
V
IC @ TC = 25°C  
16  
IC @ TC = 100°C  
9.0  
A
ICM  
64  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
64  
VGE  
± 20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
5.0  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
60  
24  
W
°C  
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
2.1  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.5  
–––  
80  
–––  
2.0 (0.07)  
–––  
www.irf.com  
1
8/23/04  
1234567...9

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IRG4BC20FPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4BC20F INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC30UDPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT
IRG4PC50UDPBF INFINEON

功能相似

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IRG4BC20FPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4BC20FPBF_15 INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC20K INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20KD INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4BC20KDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4BC20KD-S INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4BC20KD-SPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC20KD-STRL INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
IRG4BC20KD-STRLPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRG4BC20KD-STRR INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3

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