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IRG4BC20KDPBF

更新时间： 2024-11-06 04:44:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
11页 316K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4BC20KDPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：6.74
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：16 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：110 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：380 ns标称接通时间 (ton)：88 ns
Base Number Matches：1

IRG4BC20KDPBF 数据手册

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PD -94907  
IRG4BC20KDPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
C
• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for  
high operating frequencies >5ꢀ0 kHz , and Short  
Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generation  
VCES = 600V  
VCE(on) typꢀ = 2ꢀ27V  
@VGE = 15V, IC = 9ꢀ0A  
G
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
E
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
• Industry standard TO-220AB package  
• Lead-Free  
n-channel  
Benefits  
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density  
controls possible  
motor  
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTsꢀ  
Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and  
switching losses  
• This part replaces the IRGBC20KD2 and IRGBC20MD2  
products  
• For hints see design tip 97003  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Maxꢀ  
600  
16  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
9ꢀ0  
32  
ICM  
A
ILM  
32  
IF @ TC = 100°C  
7ꢀ0  
32  
IFM  
tsc  
10  
µs  
V
VGE  
± 20  
60  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
24  
TJ  
Operating  
Junction  
and-55  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 secꢀ  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screwꢀ  
°C  
300 (0ꢀ063 inꢀ (1ꢀ6mm) from case)  
10 lbf•in (1ꢀ1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Minꢀ  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typꢀ  
–––  
Maxꢀ  
2ꢀ1  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - Diode  
–––  
3ꢀ5  
°C/W  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
0ꢀ50  
–––  
80  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
–––  
2 (0ꢀ07)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
12/23/03  
1234567...11

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IRG4BC20KDPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4BC20KD INFINEON

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