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IRG4BC20KD-S PDF预览

IRG4BC20KD-S

更新时间： 2024-11-05 22:07:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管电动机控制双极性晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 223K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

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IRG4BC20KD-S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：16 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：380 ns
标称接通时间 (ton)：88 nsBase Number Matches：1

IRG4BC20KD-S 数据手册

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PD -91598A  
IRG4BC20KD-S  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
C
• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for  
high operating frequencies >5.0 kHz , and Short  
Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
VCES = 600V  
V
CE(on) typ. = 2.27V  
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generation  
G
@VGE = 15V, IC = 9.0A  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
E
n-channel  
• Industry standard D2Pak package  
Benefits  
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power  
density motor controls possible.  
•HEXFREDTM diodes optimized for performance  
with IGBTs. Minimized recovery characteristics  
reduce noise, EMI and switching losses.  
•This part replaces the IRGBC20KD2-S and  
IRGBC20MD2-S products.  
D 2 Pak  
• For hints see design tip 97003.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
16  
IC @ TC = 100°C  
9.0  
ICM  
32  
A
ILM  
32  
IF @ TC = 100°C  
7.0  
IFM  
32  
tsc  
10  
± 20  
µs  
V
VGE  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
60  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
24  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Typ.  
–––  
Max.  
2.1  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - Diode  
2.5  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
0.5  
–––  
1.44  
–––  
40  
°C/W  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)ꢀ  
Weight  
–––  
g
www.irf.com  
1
4/24/2000  
1234567...10

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IRG4BC20KD-S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4BC20KD-SPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC20KD-STRRPBF INFINEON

功能相似

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IRG4BC20KD-SPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC20KD-STRL INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
IRG4BC20KD-STRLPBF INFINEON

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 		暂无描述
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