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IRG4BC20F

更新时间： 2024-11-05 22:33:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管栅
页数	文件大小	规格书
8页	161K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

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IRG4BC20F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-220AB, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5	其他特性：	FAST SWITCHING
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	640 ns	标称接通时间 (ton)：	41 ns
Base Number Matches：	1

IRG4BC20F 数据手册

PD - 91602A

IRG4BC20F

Fast Speed IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• Fast: Optimized for medium operating

frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20

kHz in resonant mode).

V_CES= 600V

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

V_{CE(on) typ.}= 1.66V

@V_GE= 15V, I_C= 9.0A

• Industry standard TO-220AB package

n-channel

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

• IGBTs optimized for specified application conditions

• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent

industry-standard Generation 3 IR IGBTs

TO-220AB

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

9.0

I_CM

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

V_GE

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

5.0

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

300 (0.063 in. (1.6mm) from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

2.1

Units

°C/W

g (oz)

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

0.5

–––

2.0 (0.07)

–––

www.irf.com

4/17/2000

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRG4BC20FPBF	INFINEON	完全替代	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4BC20FD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4BC20FDPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC20FD-S	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4BC20FD-SPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT
IRG4BC20FD-STRL	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4BC20FDSTRLP	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IRG4BC20FD-STRLPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC,
IRG4BC20FD-STRR	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
IRG4BC20FDSTRRP	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IRG4BC20FD-STRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC,

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