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IRG4BC20FD-STRRPBF PDF预览

IRG4BC20FD-STRRPBF

更新时间： 2024-11-07 05:27:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 293K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRG4BC20FD-STRRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.55外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：16 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：610 ns
标称接通时间 (ton)：63 nsBase Number Matches：1

IRG4BC20FD-STRRPBF 数据手册

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PD -95965  
IRG4BC20FD-SPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
Fast CoPack IGBT  
• Fast: Optimized for medium operating  
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20  
kHz in resonant mode).  
C
VCES = 600V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
VCE(on) typ. = 1.66V  
@VGE = 15V, IC = 9.0A  
G
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use  
in bridge configurations  
E
n-channel  
• Industry standard D2Pak package  
• Lead-Free  
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies  
available  
• IGBTs optimized for specific application conditions  
• HEXFRED diodes optimized for performance with  
IGBTs . Minimized recovery characteristics require  
less/no snubbing  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBTs  
D2Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
C @ TC = 25°C  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
I
16  
IC @ TC = 100°C  
9.0  
ICM  
64  
A
ILM  
64  
IF @ TC = 100°C  
8.0  
IFM  
60  
± 20  
VGE  
V
P
D @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
60  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
24  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Typ.  
–––  
Max.  
2.1  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
Wt  
–––  
3.5  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)*  
–––  
80  
Weight  
1.44  
–––  
g (oz)  
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ). For recommended footprint and soldering techniques  
refer to application note #AN-994.  
www.irf.com  
1
11/19/04  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4BC20FPBF INFINEON

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IRG4BC20K INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20KD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
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