5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.41 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 14 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 19 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 400 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 37 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRG4BC15UD-S | INFINEON |
完全替代  |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4BC15UD-STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, |
|
| IRG4BC15UD-STRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, |
|
| IRG4BC20F | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
|
| IRG4BC20FD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ |
|
| IRG4BC20FDPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE |
|
| IRG4BC20FD-S | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ |
|
| IRG4BC20FD-SPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT |
|
| IRG4BC20FD-STRL | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ |
|
| IRG4BC20FDSTRLP | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IRG4BC20FD-STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
