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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRG4BC10KDPBF
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IRG4BC10KDPBF

更新时间： 2024-09-15 03:44:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管电动机控制瞄准线栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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10页 266K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4BC10KDPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.38
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：9 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：210 ns门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：38 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：410 ns标称接通时间 (ton)：78 ns
Base Number Matches：1

IRG4BC10KDPBF 数据手册

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PD -94903  
IRG4BC10KDPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
C
Features  
• High short circuit rating optimized for motor control,  
tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,  
VCES = 600V  
V
GE = 15V  
VCE(on) typ. = 2.39V  
@VGE = 15V, IC = 5.0A  
• Combines low conduction losses with high  
switching speed  
G
• Tighter parameter distribution and higher efficiency  
than previous generations  
E
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultrasoft recovery antiparallel diodes  
• Lead-Free  
n-channel  
Benefits  
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density  
motor controls possible  
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.  
Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and  
switching losses  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
9.0  
IC @ TC = 100°C  
5.0  
ICM  
18  
A
ILM  
18  
IF @ TC = 100°C  
4.0  
IFM  
16  
tsc  
10  
± 20  
µs  
V
VGE  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
38  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
15  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
3.3  
7.0  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
RθJC  
°C/W  
RθCS  
0.50  
–––  
80  
RθJA  
–––  
Wt  
2 (0.07)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
12/23/03  
1234567...10

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IRG4BC10KDPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4BC10KPBF INFINEON

完全替代

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE

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