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IRG4BC10KD

更新时间： 2024-09-14 22:33:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 210K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

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IRG4BC10KD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.04Is Samacsys：N
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：9 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：410 ns标称接通时间 (ton)：78 ns
Base Number Matches：1

IRG4BC10KD 数据手册

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PD -91734B  
IRG4BC10KD  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
C
Features  
• High short circuit rating optimized for motor control,  
VCES = 600V  
tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,  
VGE = 15V  
VCE(on) typ. = 2.39V  
• Combines low conduction losses with high  
switching speed  
G
• Tighter parameter distribution and higher efficiency  
than previous generations  
@VGE = 15V, IC = 5.0A  
E
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultrasoft recovery antiparallel diodes  
n-channel  
Benefits  
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density  
motor controls possible  
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.  
Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and  
switching losses  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
9.0  
IC @ TC = 100°C  
5.0  
ICM  
18  
A
ILM  
18  
IF @ TC = 100°C  
4.0  
IFM  
16  
tsc  
10  
µs  
V
VGE  
20  
38  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
15  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
3.3  
7.0  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
RθJC  
°C/W  
RθCS  
0.50  
–––  
80  
RθJA  
–––  
Wt  
2 (0.07)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
4/24/2000  
1234567...10

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与IRG4BC10KD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4BC10KDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC10KPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE
IRG4BC10S INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15
IRG4BC10SD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC10SD-L INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4BC10SD-LPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC10SD-LTRL INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA, TO-262, 3
IRG4BC10SD-LTRR INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA, TO-262, 3
IRG4BC10SDPBF INFINEON

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