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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.29 | 其他特性： | ULTRAFAST; HIGH SPEED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 11.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 180 ns | 标称接通时间 (ton)： | 54 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG41BC30UD | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP |
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| IRG4BAC50S | ETC |
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| IRG4BAC50SPBF | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-273AA, SUPER-220 |
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| IRG4BAC50U | ETC |
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| IRG4BAC50W | ETC |
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| IRG4BAC50WPBF | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-273AA, SUPER-220 |
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| IRG4BC10K | INFINEON |
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Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
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| IRG4BC10KD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ |
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| IRG4BC10KDPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRG4BC10KPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE |
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