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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFZ48VSPBF
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IRFZ48VSPBF

更新时间： 2024-09-16 04:23:19
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 180K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRFZ48VSPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.02
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：166 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：72 A
最大漏极电流 (ID)：72 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：290 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFZ48VSPBF 数据手册

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PD - 95573  
IRFZ48VSPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
l Fully Avalanche Rated  
l Optimized for SMPS Applications  
l Lead-Free  
D
VDSS = 60V  
RDS(on) = 12mΩ  
G
ID = 72A  
S
Description  
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that HEXFET power  
MOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power  
capability and the lowest possible on-resistance in any existing  
surface mount package. The D2Pak is suitable for high current  
applications because of its low internal connection resistance and  
can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.  
D2Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
72  
51  
A
290  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
150  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.0  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
166  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
72  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
15  
mJ  
V/ns  
5.3  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.0  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
07/19/04  
1234567...10

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IRFZ48VSPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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