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IRFZ48ZSTRL

更新时间： 2024-11-05 20:02:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 283K
描述
Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3

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IRFZ48ZSTRL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.03
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：73 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：61 A
最大漏源导通电阻：0.011 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFZ48ZSTRL 数据手册

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PD - 95574  
IRFZ48ZPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFZ48ZSPbF  
Features  
IRFZ48ZLPbF  
O
O
O
O
O
O
O
Advanced Process Technology  
HEXFET® Power MOSFET  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 11mΩ  
G
Description  
ID = 61A  
Specifically designed for Automotive applica-  
tions,thisHEXFET® PowerMOSFETutilizesthe  
latestprocessingtechniquestoachieveextremely  
low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction  
operatingtemperature, fastswitchingspeedand  
improved repetitive avalanche rating . These  
features combine to make this design an ex-  
tremely efficient and reliable device for use in  
Automotive applications and a wide variety of  
S
D2Pak  
IRFZ48ZS  
TO-262  
IRFZ48ZL  
TO-220AB  
IRFZ48Z  
other applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
61  
Units  
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
Pulsed Drain Current  
D
D
43  
240  
91  
DM  
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
D
Linear Derating Factor  
0.61  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
73  
120  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested)  
IAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
EAR  
mJ  
°C  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
-55 to + 175  
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.64  
–––  
62  
Units  
Rθ  
°C/W  
JC  
CS  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
107/19/04  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ48ZSTRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ48ZSTRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ48ZSTRRPBF INFINEON

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IRG41BC20KD INFINEON

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