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IRFZ46NL

更新时间： 2024-09-13 22:15:27
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
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10页 255K
描述
HEXFET POWER MOSFET

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IRFZ46NL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.08其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：152 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：39 A最大漏源导通电阻：0.0165 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFZ46NL 数据手册

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PD - 91305C  
IRFZ46NS  
IRFZ46NL  
l Advanced Process Technology  
l SurfaceMount(IRFZ46NS)  
l Low-profilethrough-hole(IRFZ46NL)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.0165Ω  
l Fully Avalanche Rated  
G
Description  
ˆ
ID = 53A  
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International  
Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
devicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknown  
for, provides the designer with an extremely efficient and  
reliable device for use in a wide variety of applications.  
S
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighest  
power capability and the lowest possible on-resistance in  
anyexistingsurfacemountpackage. TheD2Pakissuitable  
for high current applications because of its low internal  
connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a  
typicalsurfacemountapplication.  
2
TO-262  
D
Pak  
The through-hole version (IRFZ46NL) is available for low-  
profileapplications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
53 ˆ  
37  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
Power Dissipation  
A
180  
3.8  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
W
W
Power Dissipation  
107  
0.71  
± 20  
28  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Avalanche Current  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
11  
mJ  
5.0  
V/ns  
-55 to + 175  
300 (1.6mm from case )  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
1.4  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
40  
www.irf.com  
1
04/08/04  
1234567...10

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