IRFZ46ZSTRRPBF

更新时间： 2024-09-15 13:08:51

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英飞凌 - INFINEON		/
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6页	169K
描述
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRFZ46ZSTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	97 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	51 A
最大漏极电流 (ID)：	51 A	最大漏源导通电阻：	0.0136 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	82 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFZ48	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
IRFZ48	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A)
IRFZ48	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ48_11	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ48L	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ48L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ48LPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ48N	ISC	获取价格	isc N-Channel MOSFET Transistor
IRFZ48N	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ48N	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor