IRFZ48RL

更新时间： 2024-09-16 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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IRFZ48RL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	190 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	290 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFZ48RL 数据手册

IRFZ48RS, IRFZ48RL, SiHFZ48RS, SiHFZ48RL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Advanced Process Technology

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Dynamic dV/dt

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.018

RoHS*

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

110

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Avalanche Rated

• Drop in Replacement of the IRFZ48/SiHFZ48 for

Linear/Audio Applications

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

DESCRIPTION

Advanced Power MOSFETs from Vishay utilize advanced

processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of its

low internal connection resistance and can dissipate up to

2 W in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFZ48RSPbF

SiHFZ48RS-E3

IRFZ48RS

I²PAK (TO-262)

IRFZ48RLPbF

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFZ48RL-E3

SiHFZ48RS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current^e

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

290

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Maximum Power Dissipation

E_AS

P_D

100

_C= 25 °C

190

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

dV/dt

T_J, T_stg

4.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^d

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91296

S-Pending-Rev. A, 22-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFZ48RLPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) =
IRFZ48RLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ48RPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ48RPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFZ48RS	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ48RS	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ48RS, SiHFZ48RS	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ48RS_11	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ48RSPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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