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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFZ48RSTRR
IRFZ48RSTRR PDF预览

IRFZ48RSTRR

更新时间： 2024-11-06 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1452K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

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IRFZ48RSTRR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.08其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：290 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFZ48RSTRR 数据手册

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IRFZ48, SiHFZ48  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Ultra Low On-Resistance  
• Very Low Thermal Resistance  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.018  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
110  
29  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
36  
Configuration  
Single  
• Ease of Paralleling  
• Lead (Pb)-free Available  
D
TO-220  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRFZ48PbF  
SiHFZ48-E3  
IRFZ48  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFZ48  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
C = 100 °C  
50  
Continuous Drain Currente  
VGS at 10 V  
ID  
T
50  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
290  
Linear Derating Factor  
1.3  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Avalanche Currenta  
EAS  
IAR  
100  
50  
Repetitive Avalanche Energya  
EAR  
19  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
190  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.5  
- 55 to + 175  
300  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 22 µH, RG = 25 Ω IAS = 72 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 72 A, dV/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case  
e. Current limited by the package, (die current = 72 A).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91294  
S-Pending-Rev. A, 23-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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