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IRFZ48LPBF

更新时间： 2024-09-15 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1000K
描述
Power MOSFET

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IRFZ48LPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.58雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：190 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：290 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFZ48LPBF 数据手册

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IRFZ48S, IRFZ48L, SiHFZ48S, SiHFZ48L  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Advanced Process Technology  
• Surface Mount (IRFZ48S/SiHFZ48S)  
60  
Available  
• Low-Profile Through-Hole (IRFZ48L/SiHFZ48L)  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.018  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
110  
29  
• Lead (Pb)-free Available  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
36  
DESCRIPTION  
Configuration  
Single  
Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with  
the fast switching speed and ruggedized device design that  
Power MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use in a  
wide variety of applications.  
D
D2PAK (TO-263)  
I2PAK (TO-262)  
G
The D2PAK is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible  
on-resistance in any existing surface mount package. The  
D2PAK is suitable for high current applications because of its  
low internal connection resistance and can dissipate up to 2  
W in a typical surface mount application.  
G
D
S
S
N-Channel MOSFET  
The through-hole version (IRFZ48L/SiHFZ48L) is available  
for low-profile applications.  
ORDERING INFORMATION  
Package  
D2PAK (TO-263)  
IRFZ48SPbF  
SiHFZ48S-E3  
IRFZ48S  
D2PAK (TO-263)  
-
-
IRFZ48STRL  
SiHFZ48STL  
I2PAK (TO-262)  
IRFZ48LPbF  
SiHFZ48L-E3  
-
-
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFZ48S  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
60  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
50  
50  
Continuous Drain Currentf  
VGS at 10 V  
ID  
A
Pulsed Drain Currenta, e  
IDM  
290  
Linear Derating Factor  
Single Pulse Avalanche Energyb, e  
1.3  
W/°C  
mJ  
EAS  
PD  
100  
TC = 25 °C  
A = 25 °C  
190  
Maximum Power Dissipation  
W
V/ns  
°C  
T
3.7  
Peak Diode Recovery dV/dtc, e  
dV/dt  
4.5  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d  
TJ, Tstg  
- 55 to + 175  
300  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, Starting TJ = 25 °C, L = 22 µH, RG = 25 Ω, IAS = 72 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 72 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. Uses IRFZ48/SiHFZ48 data and test conditions.  
f. Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 90377  
S-Pending-Rev. A, 23-Jul-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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