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IRFZ48NSPBF

更新时间： 2024-11-25 03:12:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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10页 298K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFZ48NSPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：190 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：64 A
最大漏极电流 (ID)：64 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：130 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：210 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRFZ48NSPBF 数据手册

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PD - 95125  
IRFZ48NSPbF  
IRFZ48NLPbF  
l Advanced Process Technology  
l SurfaceMount(IRFZ48NS)  
l Low-profilethrough-hole(IRFZ48NL)  
l 175°COperatingTemperature  
l Fast Switching  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 55V  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
RDS(on) = 0.014Ω  
Description  
G
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance  
per silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that  
HEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,provides  
the designer with an extremely efficient and reliable  
device for use in a wide variety of applications.  
ID = 64A  
S
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistance  
in any existing surface mount package. The D2Pak is  
suitable for high current applications because of its low  
internalconnectionresistanceandcandissipateupto2.0W  
inatypicalsurfacemountapplication.  
2
TO-262  
D
Pak  
Thethrough-holeversion(IRFZ48NL)isavailableforlow-  
profileapplications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
64  
45  
210  
3.8  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W
Power Dissipation  
130  
0.83  
± 20  
32  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Avalanche Current  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
13  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typꢀ  
–––  
–––  
Maxꢀ  
1.15  
Units  
RqJC  
°C/W  
RqJA  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
40  
www.irf.com  
1
3/18/04  
1234567...10

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IRFZ48NSPBF 替代型号

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