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IRFZ46ZPBF

更新时间： 2024-09-15 03:00:59
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英飞凌 - INFINEON /
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13页 282K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRFZ46ZPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：97 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：51 A
最大漏极电流 (ID)：51 A最大漏源导通电阻：0.0136 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：82 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFZ46ZPBF 数据手册

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PD - 95562  
IRFZ46ZPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFZ46ZSPbF  
Features  
O
O
O
O
O
O
Advanced Process Technology  
IRFZ46ZLPbF  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 13.6mΩ  
DO escription  
G
Specifically designed for Automotive applica-  
tions,thisHEXFET® PowerMOSFETutilizesthe  
latestprocessingtechniquestoachieveextremely  
low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction  
operatingtemperature, fastswitchingspeedand  
improved repetitive avalanche rating . These  
features combine to make this design an ex-  
tremely efficient and reliable device for use in  
Automotive applications and a wide variety of  
ID = 51A  
S
D2Pak  
IRFZ46ZS  
TO-262  
IRFZ46ZL  
TO-220AB  
IRFZ46Z  
other applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
51  
Units  
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
Pulsed Drain Current  
D
D
36  
200  
82  
DM  
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
D
Linear Derating Factor  
0.54  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
63  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested)  
97  
IAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
EAR  
mJ  
°C  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
-55 to + 175  
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.84  
–––  
62  
Units  
Rθ  
°C/W  
JC  
CS  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
07/15/04  
1234567...13

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