是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.58 | 其他特性: | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas): | 97 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 55 V |
最大漏极电流 (ID): | 51 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0136 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFZ46ZSPBF | INFINEON |
类似代替 |
AUTOMOTIVE MOSFET | |
IPD50N06S214ATMA1 | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0144ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
SUD35N05-26L-E3 | VISHAY |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFZ46ZSPBF | INFINEON |
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AUTOMOTIVE MOSFET | |
IRFZ46ZSTRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFZ46ZSTRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFZ46ZSTRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFZ46ZSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFZ48 | NXP |
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N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor | |
IRFZ48 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A) | |
IRFZ48 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFZ48_11 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFZ48L | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |