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IRFZ46NS

更新时间： 2024-11-24 22:15:27
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 255K
描述
HEXFET POWER MOSFET

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IRFZ46NS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.58Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：152 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：39 A
最大漏源导通电阻：0.0165 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFZ46NS 数据手册

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PD - 91305C  
IRFZ46NS  
IRFZ46NL  
l Advanced Process Technology  
l SurfaceMount(IRFZ46NS)  
l Low-profilethrough-hole(IRFZ46NL)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.0165Ω  
l Fully Avalanche Rated  
G
Description  
ˆ
ID = 53A  
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International  
Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
devicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknown  
for, provides the designer with an extremely efficient and  
reliable device for use in a wide variety of applications.  
S
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighest  
power capability and the lowest possible on-resistance in  
anyexistingsurfacemountpackage. TheD2Pakissuitable  
for high current applications because of its low internal  
connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a  
typicalsurfacemountapplication.  
2
TO-262  
D
Pak  
The through-hole version (IRFZ46NL) is available for low-  
profileapplications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
53 ˆ  
37  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
Power Dissipation  
A
180  
3.8  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
W
W
Power Dissipation  
107  
0.71  
± 20  
28  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Avalanche Current  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
11  
mJ  
5.0  
V/ns  
-55 to + 175  
300 (1.6mm from case )  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
1.4  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
40  
www.irf.com  
1
04/08/04  
1234567...10

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IRFZ46NS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFZ46NSPBF INFINEON

完全替代

 HEXFET Power MOSFET
IRFZ46NSTRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 55V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SUM110N05-06L VISHAY

功能相似

 N-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET

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