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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUM110N05-06L
SUM110N05-06L PDF预览

SUM110N05-06L

更新时间： 2024-02-29 01:16:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 60K
描述
N-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET

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SUM110N05-06L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.86配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：110 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：158 W
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SUM110N05-06L 数据手册

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SUM110N05-06L  
Vishay Siliconix  
N-Channel 55-V (D-S), 175_C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D 175_C Junction Temperature  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
Qg (Typ)  
0.006 @ V = 10 V  
110  
92  
GS  
D New Low Thermal Resistance Package  
APPLICATIONS  
55  
65  
0.0085 @ V = 4.5 V  
GS  
D Automotive and Industrial  
D
TO-263  
G
G
D S  
Top View  
S
Ordering Information: SUM110N05-06L  
N-Channel MOSFET  
SUM110N05-06L—E3 (Lead (Pb)-Free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
55  
DS  
V
GS  
V
"20  
110  
63  
T
= 25_C  
C
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
T
= 125_C  
C
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
I
240  
60  
DM  
I
AR  
a
Repetitive Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
E
AR  
180  
mJ  
b
T
= 25_C  
158  
C
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
c
T
A
= 25_C  
3.7  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to 175  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
c
Junction-to-Ambient—PCBMount  
R
40  
thJA  
thJC  
_
C/W  
Junction-to-Case  
R
0.95  
Notes  
a. Duty cycle v 1%.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
Document Number: 72005  
S-42140—Rev. B, 15-Nov-04  
www.vishay.com  
1
12345

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SUM110N05-06L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS4610 INFINEON

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 IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610
IRL3705ZS INFINEON

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 AUTOMOTIVE MOSFET
IRFZ46NS INFINEON

功能相似

 HEXFET POWER MOSFET

与SUM110N05-06L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUM110N05-06L-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 110 A, 55 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
SUM110N06-04L VISHAY

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 		N-Channel 60-V (D-S) 200C MOSFET
SUM110N06-05L VISHAY

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 		N-Channel 60-V (D-S) 175-C MOSFET
SUM110N06-06 VISHAY

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 		N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
SUM110N06-3M4L VISHAY

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 		Low Thermal Resistance Package
SUM110N08-05 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 75-V (D-S) 200∑C MOSFET
SUM110N08-05-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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