SUM110P04-04L

更新时间： 2024-02-19 08:23:06

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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5页	57K
描述
P-Channel 40-V (D-S) 175-LC MOSFET

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SUM110P04-04L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	375 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SUM110P04-04L 数据手册

SUM110P04-04L

Vishay Siliconix

P-Channel 40-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

D New Package with Low Thermal Resistance

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)^d

0.0042 @ V = −10 V

−110

−40

D Automotive

0.0062 @ V = −4.5

− 12-V Boardnet

− High-Side Switches

− Motor Drives

TO-263

D S

Top View

Ordering Information: SUM110P04-04L

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−40

"20

−110

−240

−75

= 25_C

= 125_C

Continuous Drain Current

(T = 175_C)

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L = 0.1 mH

Single Pulse Avalanche Energy

281

= 25_C

375

Power Dissipation

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient PCB Mount

thJA

thJC

C/W

Junction-to-Case

0.4

Notes:

a. Duty cycle v 1%.

b. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

c. See SOA curve for voltage derating.

d. Limited by package.

Document Number: 72437

S-40840—Rev. B, 03-May-04

www.vishay.com

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