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IRL3705ZS

更新时间： 2024-09-25 22:48:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 294K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRL3705ZS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.57Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：180 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：340 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRL3705ZS 数据手册

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PD - 95854  
IRL3705Z  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRL3705ZS  
Features  
IRL3705ZL  
l
l
l
l
l
l
Logic Level  
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
RDS(on) = 8.0mΩ  
G
Description  
ID = 75A  
Specifically designed for Automotive applications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processingtechniquestoachieveextremelylowon-  
resistance per silicon area. Additional features of  
thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive  
avalanche rating . These features combine to make  
thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice  
foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety  
of other applications.  
S
D2Pak  
TO-262  
IRL3705ZL  
TO-220AB  
IRL3705Z  
IRL3705ZS  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
86  
D
D
D
@ T = 100°C  
C
61  
A
(Package Limited)  
@ T = 25°C  
C
75  
340  
DM  
P
@T = 25°C Power Dissipation  
C
130  
W
W/°C  
V
D
Linear Derating Factor  
0.88  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
± 16  
GS  
EAS (Thermally limited)  
120  
180  
mJ  
EAS (Tested )  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
mJ  
T
J
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
STG  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
–––  
0.50  
–––  
–––  
1.14  
–––  
62  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
40  
www.irf.com  
1
3/3/04  
1234567...12

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IRL3705ZS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRL3705ZSTRL INFINEON

完全替代

 Logic Level Advanced Process Technology
AUIRL3705ZS INFINEON

完全替代

 Logic Level Advanced Process Technology
IRL3705ZSTRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRL3705ZSPBF INFINEON

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IRL3705ZSTRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705ZSTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705ZSTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL3705ZSTRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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