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IRL3713PBF

更新时间： 2024-11-25 04:23:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 719K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRL3713PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：5.49其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1530 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.26 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.003 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1040 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRL3713PBF 数据手册

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PD - 97011B  
IRL3713PbF  
IRL3713SPbF  
SMPS MOSFET  
IRL3713LPbF  
Applications  
l High Frequency Isolated DC-DC  
HEXFET® Power MOSFET  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
l High Frequency Buck Converters for  
Computer Processor Power  
l 100% RG Tested  
VDSS  
30V  
RDS(on) max (mW)  
ID  
260A†  
3.0@VGS = 10V  
l Lead-Free  
Benefits  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRL3713PbF  
IRL3713SPbF IRL3713LPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Max  
30  
Units  
V
VDS  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
260  
180  
V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
@ T = 100°C  
C
A
1040  
330  
Pulsed Drain Current  
DM  
P
P
@T = 25°C  
C
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
D
D
W
@Tc = 100°C  
170  
Linear Derating Factor  
Junction and Storage Temperature Range  
2.2  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
TJ, T  
STG  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ  
–––  
0.50  
–––  
–––  
Max  
0.45*  
–––  
62  
Units  
Junction-to-Case  
RθJC  
RqCS  
RθJA  
RθJA  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
40  
* RθJC (end of life) for D2Pak and TO-262 = 0.50°C/W. This is the maximum measured value after 1000 temperature  
cycles from -55 to 150°C and is accounted for by the physical wearout of the die attach medium.  
Notes  through ‡ are on page 11  
www.irf.com  
1
07/22/05  
1234567...11

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IRL3713PBF 替代型号

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