是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | End Of Life |
包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 5.08 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 1530 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 260 A | 最大漏极电流 (ID): | 75 A |
最大漏源导通电阻: | 0.003 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 330 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 1040 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRL3713STRLPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRL3713SPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRL3713S | INFINEON |
功能相似 |
SMPS MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRL3714 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A) | |
IRL3714L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A) | |
IRL3714LPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRL3714PBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRL3714S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A) | |
IRL3714SPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRL3714STRL | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB | |
IRL3714STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRL3714STRR | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB | |
IRL3714Z | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |