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IRF2903ZPBF

更新时间： 2024-09-26 03:08:07
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英飞凌 - INFINEON /
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10页 283K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF2903ZPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.35其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：820 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：260 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：290 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1020 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF2903ZPBF 数据手册

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PD-96097  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF2903ZPbF  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
l
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
D
l
l
l
l
l
VDSS = 30V  
RDS(on) = 2.4mΩ  
G
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
ID = 75A  
S
Description  
D
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitiveavalancherating. Thesefeaturescom-  
bine to make this design an extremely efficient  
andreliabledeviceforuseinAutomotiveapplica-  
tions and a wide variety of other applications.  
S
D
G
TO-220AB  
IRF2903ZPbF  
G
Gate  
D
S
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
260  
180  
75  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
(Silicon Limited)  
(Package Limited)  
@ T = 100°C  
C
A
@ T = 25°C  
C
1020  
290  
2.0  
DM  
Power Dissipation  
@T = 25°C  
C
P
W
W/°C  
V
D
Linear Derating Factor  
± 20  
290  
820  
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
Single Pulse Avalanche Energy  
mJ  
EAS (Tested )  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
mJ  
-55 to + 175  
T
T
J
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
STG  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Units  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.51  
–––  
62  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
02/15/07  
1234567...10

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