IRFS4610

更新时间： 2024-11-25 22:51:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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IRFS4610 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	D2PAK-3/2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	73 A
最大漏源导通电阻：	0.014 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	290 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFS4610 数据手册

PD - 96906B

IRFB4610

IRFS4610

IRFSL4610

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

V_DSS

R_DS(on)typ.

100V

11m:

14m:

73A

max.

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

I_D

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

G D S

D²Pak

IRFS4610

TO-262

IRFSL4610

TO-220AB

IRFB4610

Absolute Maximum Ratings

Symbol

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Parameter

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Max.

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

290

Pulsed Drain Current f

P_D@T_C= 25°C

190

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

V_GS

± 20

Gate-to-Source Voltage

7.6

Peak Diode Recovery e

Operating Junction and

dV/dt

T_J

V/ns

°C

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

10lbxin (1.1Nxm)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy d

E_{AS (Thermally limited)}

370

Avalanche Currentꢀc

I_AR

See Fig. 14, 15, 16a, 16b,

Repetitive Avalanche Energy f

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.77

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Junction-to-Case j

Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220

0.50

–––

°C/W

Junction-to-Ambient, TO-220 j

Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D²Pak ij

–––

www.irf.com

11/3/04

12 3 4 5 6 7...11

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IRFS4610 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFS4610TRLPBF	INFINEON	类似代替	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
AUIRFS4610	INFINEON	类似代替	AUTOMOTIVE GRADE
SUB75N03-07	VISHAY	功能相似	N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

与IRFS4610相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFS4610PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFS4610TRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS4610TRLPBF	INFINEON	获取价格	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS4610TRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS4610TRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS4615	INFINEON	获取价格	150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封
IRFS4615PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFS4620	INFINEON	获取价格	200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封
IRFS4620PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFS4620TRLPBF	INFINEON	获取价格	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

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