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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 190 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS4710TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRFS510 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFS510A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFS520 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186 |
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| IRFS520A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFS520A | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS521 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186 |
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| IRFS522 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFS523 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS52N15D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
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