5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS530A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFS530A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRFS531 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS533 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFS540 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFS540 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS540A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFS540AT | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFS541 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 17A I(D) | SOT-186 |
|
| IRFS542 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
