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IRFS520A

更新时间： 2024-11-25 22:40:59
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
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7页 253K
描述
Advanced Power MOSFET

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IRFS520A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
雪崩能效等级（Eas）：104 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.2 A最大漏极电流 (ID)：7.2 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：28 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：37 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS520A 数据手册

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IRFS520A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 0.2  
ID = 7.2 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
TO-220F  
O
175 C Operating Temperature  
m
Lower Leakage Current : 10  
A (Max.) @ VDS = 100V  
W
Lower RDS(ON) : 0.155  
(Typ.)  
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
Units  
VDSS  
V
100  
7.2  
5.1  
37  
O
Continuous Drain Current (TC=25 C )  
ID  
A
O
C
Continuous Drain Current (TC=100  
Drain Current-Pulsed  
)
1
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
O
A
V
+
_
Gate-to-Source Voltage  
20  
2
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
104  
7.2  
2.8  
6.5  
28  
mJ  
A
O
O
O
O
1
EAR  
dv/dt  
1
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
V/ns  
3
Peak Diode Recovery dv/dt  
O
Total Power Dissipation (TC=25  
Linear Derating Factor  
)
C
W
PD  
TJ , TSTG  
TL  
O
0.19  
W/  
C
Operating Junction and  
- 55 to +175  
Storage Temperature Range  
O
C
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
300  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Rq  
--  
--  
5.4  
Junction-to-Case  
JC  
O
C
/W  
R q  
62.5  
Junction-to-Ambient  
JA  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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