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IRFS52N15DHR

更新时间： 2024-02-08 06:04:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 285K
描述
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3

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IRFS52N15DHR 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
雪崩能效等级（Eas）：470 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.032 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS52N15DHR 数据手册

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PD - 94815  
IRFB52N15DPbF  
IRFS52N15D  
SMPS MOSFET  
IRFSL52N15D  
Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
l High frequency DC-DC converters  
l Lead-Free ( only the TO-220AB version  
is currently available in a lead-free  
configuration)  
VDSS  
150V  
RDS(on) max  
ID  
60A  
0.032Ω  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRFB52N15DPbF  
IRFS52N15D  
IRFSL52N15D  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
60  
43  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
240  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation ‡  
3.8  
W
Power Dissipation  
320  
Linear Derating Factor  
2.1  
W/°C  
V
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
5.5  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw†  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.47  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface †  
Junction-to-Ambient†  
0.50  
–––  
°C/W  
Junction-to-Ambient‡  
–––  
40  
Notes  through ‡ are on page 11  
www.irf.com  
1
11/5/03  
1234567...12

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