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IRFS52N15DTRLPBF

更新时间： 2024-01-04 18:35:17
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRFS52N15DTRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.13
雪崩能效等级（Eas）：470 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：51 A最大漏极电流 (ID)：51 A
最大漏源导通电阻：0.032 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：230 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS52N15DTRLPBF 数据手册

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PD - 97002A  
IRFB52N15DPbF  
IRFS52N15DPbF  
IRFSL52N15DPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
l Plasma Display Panel  
Key Parameters  
VDS  
150  
200  
32  
V
V
m
V
R
DS (Avalanche) min.  
DS(ON) max @ 10V  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to  
Reduce\ Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance  
Including Effective COSS to Simplify  
Design, (See App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche  
Voltage and Current  
TJ max  
175  
°C  
l Lead-Free  
D2Pak  
IRFS52N15DPbF IRFSL52N15DPbF  
TO-262  
TO-220AB  
IRFB52N15DPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ‡  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ‡  
Pulsed Drain Current   
Max.  
51*  
36*  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
240  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation ‡  
3.8  
W
Power Dissipation ‡  
230*  
Linear Derating Factor ‡  
1.5*  
W/°C  
V
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
5.5  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw†  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.47*  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface †  
Junction-to-Ambient†  
0.50  
–––  
°C/W  
Junction-to-Ambient‡  
–––  
40  
* RθJC (end of life) for D2Pak and TO-262 = 0.65°C/W. This is the maximum measured value after 1000 temperature  
cycles from -55 to 150°C and is accounted for by the physical wearout of the die attach medium.  
Notes  through ‡ are on page 11  
www.irf.com  
1
09/22/10  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS52N15DTRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor
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