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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS614B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRFS614B_FP001 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS614BYDTU-FP001 | FAIRCHILD |
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Transistor |
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| IRFS620 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS620A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4.1A I(D) | TO-220AB |
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| IRFS620B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| IRFS621 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS622 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS624 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS624A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | TO-220AB |
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