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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFS614B
IRFS614B PDF预览

IRFS614B

更新时间： 2024-11-24 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 856K
描述
250V N-Channel MOSFET

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IRFS614B 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.1 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：22 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8.5 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS614B 数据手册

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November 2001  
IRF614B/IRFS614B  
250V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters and  
switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
2.8A, 250V, R  
= 2.0Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 8.1 nC)  
Low Crss ( typical 7.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220  
IRF Series  
TO-220F  
IRFS Series  
G
D S  
G D  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRF614B  
IRFS614B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
250  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
2.8  
1.8  
8.5  
2.8 *  
1.8 *  
8.5 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
45  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
2.8  
4.0  
5.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
40  
22  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.32  
0.18  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
IRF614B  
IRFS614B  
5.58  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
3.14  
0.5  
θJC  
--  
θCS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.  
62.5  
62.5  
θJA  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, November 2001  
1234567...10

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与IRFS614B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS614B_FP001 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFS614BYDTU-FP001 FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
IRFS620 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS620A ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4.1A I(D) | TO-220AB
IRFS620B FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
IRFS621 SAMSUNG

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS622 SAMSUNG

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFS624 SAMSUNG

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS624A ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | TO-220AB
IRFS624B FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET

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