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IRFS640A

更新时间： 2024-09-29 04:23:19
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲栅局域网
页数 文件大小 规格书
7页 321K
描述
Rugged Gate Oxide Technology

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IRFS640A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
雪崩能效等级（Eas）：256 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.8 A最大漏极电流 (ID)：9.8 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：43 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRFS640A 数据手册

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IRFS640A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 200 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 0.18  
ID = 9.8 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
TO-220F  
m
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V  
Lower RDS(ON) : 0.144 (Typ. )  
W
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
200  
9.8  
6.2  
72  
Continuous Drain Current (T C=25 o  
Continuous Drain Current (T C=100  
Drain Current-Pulsed  
)
C
o
ID  
A
)
C
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
A
V
1
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
30  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
2
O
256  
9.8  
4.3  
5.0  
43  
mJ  
A
1
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Total Power Dissipation (T C=25 o  
mJ  
V/ns  
W
1
O
3
O
)
C
PD  
TJ , TSTG  
TL  
Linear Derating Factor  
0.35  
W/oC  
Operating Junction and  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
oC  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8 “ from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
RqJC  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
--  
--  
2.89  
62.5  
Junction-to-Case  
oC/W  
RqJA  
Junction-to-Ambient  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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