是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.59 |
雪崩能效等级(Eas): | 600 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15.8 A | 最大漏极电流 (ID): | 28 A |
最大漏源导通电阻: | 0.085 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 112 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFS654 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
IRFS654A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB | |
IRFS654B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
IRFS710A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-220AB | |
IRFS710B | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
IRFS720 | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
IRFS720 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFS720A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-220AB | |
IRFS720B | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
IRFS721 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220VAR |